[发明专利]薄膜晶体管制备方法及薄膜晶体管

摘要

本发明实施例公开了一种薄膜晶体管制备方法及薄膜晶体管。该薄膜晶体管制备方法包括：提供一基板；在基板上依次沉积形成金属栅极层、栅极阻挡层和有源层，该有源层为IGZO材料沉积形成；在有源层上涂布金属纳米粒子溶液，形成金属纳米粒子层；制得具有图形的有源层，并在有源层旁金属纳米粒子层之上制得具有图形的源极和漏极。本发明实施例中利用金属纳米粒子和O的结合能较大的原理，将金属纳米粒子溶液均匀分散的涂布在有源层表面，可以在有源层表面形成不连续的氧空位区域，从而提高有源层IGZO载流子浓度和迁移率，改善薄膜晶体管结构的电性，同时避免有源层整面IGZO空位过多造成的导通现象。

主权项

1.一种薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管制备方法包括：/n提供一基板；/n在所述基板上依次沉积形成金属栅极层、栅极阻挡层和有源层，所述有源层为铟镓锌氧化物材料沉积形成；/n在所述有源层上均匀涂布金属纳米粒子溶液，形成金属纳米粒子层；/n制得具有图形的有源层，并在所述有源层旁所述金属纳米粒子层之上制得具有图形的源极和漏极。/n