[发明专利]一种双沟结构的脊上开孔方法

摘要

本发明涉及一种双沟结构的脊上开孔方法，包括如下步骤：在具有双沟的晶元上生长二氧化硅钝化层；匀胶负性光刻胶两次，进行前烘；准备好所需光刻版，将晶元对位曝光；将曝光后的晶元进行曝光后烘；将晶元泛曝光，进行显影；在显微镜下检验合格后，后烘；匀胶负性光刻胶一次，进行前烘；准备好所需光刻版，且晶元对位曝光预设时间；将曝光后的晶元进行曝光后烘；将晶元泛曝光，进行显影；在显微镜下检验合格后，后烘；将后烘后的晶元送到RIE刻蚀机进行刻蚀；将刻蚀后的晶元进行去胶清洗。本发明采用两次负胶反转光刻工艺和一次RIE刻蚀结合，减小对位难度并且能够有效保护台面边缘的二氧化硅钝化层，使得台面开孔区域形貌优良，便于电流注入。

主权项

1.一种双沟结构的脊上开孔方法，其特征在于：包括如下步骤：/n步骤S1：在具有双沟形貌结构的晶元上生长二氧化硅钝化层；/n步骤S2：在二氧化硅钝化层上匀胶负性光刻胶两次，进行前烘；/n步骤S3：准备好开孔所需要的光刻版，并且将步骤S2中前烘后的晶元对位曝光预设时间；/n步骤S4：将步骤S3中对位曝光后的晶元进行曝光后烘预设时间；/n步骤S5：将步骤S4中曝光后烘后的晶元泛曝光预设时间，然后进行显影；/n步骤S6：将步骤S5中显影后的晶元在显微镜下检验合格后，后烘预设时间；/n步骤S7：将步骤S6中后烘后的晶元匀胶负性光刻胶一次，进行前烘；/n步骤S8：准备好开孔所需要的光刻版，并且将步骤S7中前烘后的晶元对位曝光预设时间；/n步骤S9：将步骤S8中对位曝光后的晶元进行曝光后烘预设时间；/n步骤S10：将步骤S9中曝光后烘后的晶元泛曝光预设时间，然后进行显影；/n步骤S11：将步骤S10中显影后的晶元在显微镜下检验合格后，后烘预设时间；/n步骤S12：将步骤S11中后烘后的晶元送到RIE刻蚀机进行刻蚀；/n步骤S13：将刻蚀后的晶元进行去胶清洗。/n