[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法在审
| 申请号： | 201910770657.9 | 申请日： | 2019-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN110943006A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 高桥朋宏;武知圭;佐佐木光敏;秋山刚志 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;臧建明 |
| 地址： | 日本京都府京都市上京区堀川通寺之内上*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置(100)包括处理槽(110)、基板保持部(120)、流体供给部(130)及控制部(140)。处理槽(110)蓄存用于处理基板的处理液。基板保持部(120)在处理槽(110)的处理液内保持基板。流体供给部(130)向处理槽(110)供给流体。控制部(140)控制流体供给部(130)。控制部(140)在对蓄存有使基板(W)浸渍的处理液的处理槽(110)开始流体的供给，直至对蓄存有使基板(W)浸渍的处理液的处理槽(110)结束流体供给为止的期间，控制流体供给部(130)，以使流体供给部(130)变更流体的供给。本发明的基板处理装置以及基板处理方法能够抑制处理槽内的基板处理的偏颇。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
