[发明专利]一种半导体发光器件及其制作方法

摘要

一种半导体发光器件及其制作方法，属于半导体光电技术领域，在衬底的一侧依次外延生长缓冲层、非故意掺杂GaN层和n型掺杂GaN层，再通过三次沉积绝缘介质掩膜层，间隙地刻蚀出蓝光、绿光和红光发光结构层区域，并在各区域内制作发光结构层，达到了将无机GaN基蓝光和绿光LED与有机红光OLED技术集成，将红、绿、蓝三基色发光单元横向淀积于n型掺杂GaN层之上，并通过n型掺杂GaN层连接的效果。本发明改善了GaN基蓝绿光LED与GaAs基红光LED材料体系难以兼容的问题，提高了Micro LED全彩显示技术中巨量转移的效率，降低了终端产品制作的复杂度。

主权项

1.一种半导体发光器件，在衬底上顺序设置缓冲层、非故意掺杂GaN层和n型掺杂GaN层，在n型掺杂GaN层上分别设置n型电极、绝缘介质掩膜层、蓝光LED发光结构层、绿光LED发光结构层和红光OLED发光结构层，在所述蓝光LED发光结构层、绿光LED发光结构层和红光OLED发光结构层表面分别设置p型电极；其特征在于：所述蓝光LED发光结构层、绿光LED发光结构层和红光OLED发光结构层间隔地分布在绝缘介质掩膜层之间；所述蓝光LED发光结构层自下而上包括：InGaN/GaN蓝光多量子阱有源层、电子阻挡层、p型掺杂GaN层和透明导电层；所述绿光LED发光结构层自下而上包括：InGaN/GaN绿光多量子阱有源层、电子阻挡层、p型掺杂GaN层和透明导电层；所述红光OLED发光结构层自下而上包括：第一透明导电层、电子传输层、红光有机发光层、空穴传输层和第二透明导电层。