[发明专利]单晶硅制绒工艺及装置

摘要

本发明公开了一种单晶硅制绒工艺，将硅片依次进行前酸清洗→纯水清洗→预清洗→粗抛→碱清洗→纯水清洗→制绒→纯水清洗→后清洗→纯水清洗→后酸清洗→纯水清洗→慢提拉→烘干处理。本发明可以有效解决绒面脏污问题，同时制备的金字塔大小均匀、尺寸一致且密集分布于硅片表面，绒面反射率低。而且制绒工序整体时间短，提高了产量。

主权项

1.一种单晶硅制绒工艺，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤(1)、将需要制绒的原始硅片放入到前酸洗槽进行前酸清洗；/n步骤(2)、将步骤(1)酸洗后的硅片放入到第一纯水清洗槽进行纯水清洗；/n步骤(3)、在前清洗槽将步骤(2)纯水清洗后的硅片进行表面预清洗处理；/n步骤(4)、在粗抛槽将步骤(3)预清洗处理后的硅片进行粗抛处理；/n步骤(5)、在碱清洗槽将步骤(4)粗抛后的硅片进行清洗处理；/n步骤(6)、将步骤(5)碱清洗处理后的硅片放入到第二纯水清洗槽进行纯水清洗；/n步骤(7)、在制绒槽将步骤(6)纯水清洗后的硅片进行制绒处理；/n步骤(8)、将步骤(7)制绒后的硅片放入到第三纯水清洗槽进行纯水清洗；/n步骤(9)、在后清洗槽将步骤(8)纯水清洗后的硅片进行表面后清洗处理；/n步骤(10)、将步骤(9)表面后清洗的硅片放入到第四纯水清洗槽进行纯水清洗；/n步骤(11)、将步骤(10)纯水清洗处理后的硅片放入到后酸洗槽进行后酸清洗处理；/n步骤(12)、将步骤(11)后酸清洗处理后的硅片放入到第五纯水清洗槽进行纯水清洗；/n步骤(13)、将步骤(12)纯水清洗后的硅片放入到慢提拉槽进行预脱水；/n步骤(14)、将步骤(13)预脱水后的硅片放入到烘干槽进行烘干。/n