[发明专利]清洗方法和清洗设备有效
| 申请号： | 201910773015.4 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN110416066B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 陈洁;吴仪 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;B08B3/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种清洗方法和清洗设备，该方法包括以下步骤：S1，使晶片旋转，向晶片正面喷淋能够去除晶片正面上的氧化膜的第一清洗液，同时向晶片背面喷淋超纯水；S2，保持晶片旋转，并向晶片正面喷淋超纯水，同时在晶片的转速大于或等于预设转速值时，向晶片背面喷淋超纯水；在晶片的转速小于预设转速值时，向晶片背面喷淋保护气体；S3，保持晶片旋转，并向晶片正面喷淋能够减少晶片表面张力的第二清洗液，同时向晶片背面喷淋保护气体；S4，保持晶片旋转，并同时向晶片正面和晶片背面喷淋保护气体。本发明提供的清洗方法和清洗设备的技术方案，可以减少晶片表面水痕和颗粒，改善清洗效果，同时可以间接加热清洗药液，提高了工艺安全性。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，使晶片旋转，向晶片正面喷淋能够去除所述晶片正面上的氧化膜的第一清洗液，同时向晶片背面喷淋超纯水；S2，保持所述晶片旋转，并向所述晶片正面喷淋超纯水，同时在所述晶片的转速大于或等于预设转速值时，向所述晶片背面喷淋超纯水；在所述晶片的转速小于预设转速值时，向所述晶片背面喷淋保护气体；S3，保持所述晶片旋转，并向所述晶片正面喷淋能够减少晶片表面张力的第二清洗液，同时向所述晶片背面喷淋保护气体；S4，保持所述晶片旋转，并同时向所述晶片正面和晶片背面喷淋保护气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司，未经北京北方华创微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910773015.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：二硫化钼/二硒化钨垂直异质结的制备方法
- 下一篇：半导体装置的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
