[发明专利]一种电子束辐照下原位研究锗锑碲材料非晶化机理的方法在审
| 申请号： | 201910773032.8 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN110554060A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 张伟;蒋婷婷;王疆靖 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01N23/04 | 分类号： | G01N23/04;G01N1/44 |
| 代理公司： | 61215 西安智大知识产权代理事务所 | 代理人： | 王晶 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种电子束辐照下原位研究锗锑碲材料非晶化机理的方法，包括：选择表面沉积在透射电镜标准尺寸的碳支持膜铜载网上的锗锑碲晶体薄膜；采用等离子清洗技术对制备的薄膜样品进行表面预处理，选择氩气进行等离子清洗；将预处理电镜样品置于透射电镜中，并在薄膜样品中寻找表面平整、无碳沉积、无污染、无破损且厚度均匀的区域作为辐照区域；设置辐照参数，诱导材料发生逐步非晶化；原位观察并记录材料的非晶化结构演变过程，分析材料的非晶化相变机理。本发明通过电子束辐照实现了锗锑碲材料的逐步非晶化，并借助透射电镜直接观察分析材料非晶化的结构演变过程，为探索锗锑碲材料的非晶化机理提供了便捷的研究方法和可靠的实验依据。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶化 锗锑碲 透射电镜 等离子清洗 电子束辐照 薄膜样品 分析材料 演变过程 预处理 表面预处理 氩气 表面沉积 表面平整 电镜样品 辐照参数 辐照区域 厚度均匀 记录材料 晶体薄膜 相变机理 诱导材料 原位观察 原位研究 直接观察 碳沉积 支持膜 制备 破损 探索 研究 | ||
【主权项】：
1.一种电子束辐照下原位研究锗锑碲材料非晶化机理的方法，其特征在于，包括以下步骤；/n步骤1：选择表面沉积在透射电镜标准尺寸的碳支持膜铜载网上的锗锑碲晶体薄膜样品，选择的锗锑碲晶体薄膜包括六角相晶体薄膜和立方相晶体薄膜；/n步骤2：采用等离子清洗技术对所述薄膜样品进行表面预处理，得到预处理电镜样品；/n步骤3：将所述预处理电镜样品置于透射电镜中，并在预处理电镜样品中寻找表面平整、无碳沉积、无污染、无破损且厚度均匀的区域作为辐照区域；/n步骤4：设置辐照参数，包括辐照电压、辐照强度、辐照范围和辐照时间，诱导材料发生逐步非晶化；/n步骤5：原位观察并记录材料的非晶化结构演变过程，分析材料的非晶化相变机理，得到非晶相。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910773032.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：包裹扫描机
- 下一篇：一种高通量预筛选相变异质结材料的方法
