[发明专利]多层结构的制备方法在审
| 申请号： | 201910773191.8 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN111354624A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 廖俊诚 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种多层结构的制备方法。该制备方法包括下列操作：在一反应物中配置一基底；将一含铝化合物引入该反应器中，其中该含铝化合物吸附在该基底上；进行一抽气程序以从该反应器清除一过量含铝化合物；以及将一含氧化合物引入该反应器中，其中该含氧化合物与该含铝化合物相互反应，以在该基底上形成一含铝层。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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