[发明专利]一种基于光热电效应的光探测器在审
申请号: | 201910773645.1 | 申请日: | 2019-08-21 |
公开(公告)号: | CN110473956A | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 金华伏安光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L35/16 | 分类号: | H01L35/16;H01L35/18;H01L35/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 322200 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于光热电效应的光探测器,该探测器包括基底、热电材料层、电极,热电材料层和电极设置在基底上,热电材料层的两端连接电极,在热电材料层的任一端的上面设置有相变材料层,相变材料层上还设置微结构层。微结构层用以吸收光,并将光转化为热。这些热通过相变材料层传导到热电材料层。因为相变材料层的热传导性能或者吸收光的性能严重地依赖于温度,所以在热电材料层两端测得的电势差更严重地依赖于微结构层所吸收的光。这种级联放大的效果提高了光探测的灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 热电材料层 相变材料层 微结构层 吸收光 基底 两端连接电极 热传导性能 电极设置 光探测器 灵敏度 电极 电势差 光热电 光探测 探测器 级联 传导 放大 吸收 转化 | ||
【主权项】:
1.一种基于光热电效应的光探测器,包括基底、热电材料层、电极,热电材料层和电极设置在基底上,热电材料层的两端连接电极,其特征在于:在热电材料层的任一端的上面设置有相变材料层,相变材料层上还设置微结构层。/n
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