[发明专利]一种IGBT组件及其版图

摘要

本发明涉及一种IGBT组件及其版图，属于IGBT器件的技术领域。IGBT组件包括IGBT器件IGBT1、IGBT器件IGBT2以及MOS管LM，IGBT器件IGBT2的开启受限于MOS管LM的开启控制，而MOS管LM的开启受限于IGBT组件工作时的通过电流传感器的电流(Is1+Is2)和电阻R，从而实现了IGBT组件工作在低电流状态下只开通IGBT器件IGBT1，工作在高电流状态下IGBT器件IGBT1和IGBT器件IGBT2同时开通，进而实现了不同输出电流下，IGBT组件内IGBT器件IGBT1和IGBT器件IGBT2的导通控制，从而有效降低器件自身的能量损耗，拓宽IGBT组件的高效工作区，实现低工作电流下的高传输效率。

主权项

1.一种IGBT组件，包括IGBT器件IGBT1以及IGBT器件IGBT2，其特征是：还包括MOS管LM，所述MOS管LM为LDMOS器件，MOS管LM的漏极与IGBT器件的栅极G1相互连接后能形成IGBT组件的栅电极端Gate；/nMOS管LM的源极与IGBT器件IGBT2的栅极G2连接，MOS管LM的栅极与电阻R的一端连接，电阻R的另一端与IGBT器件IGBT1的电流传感器输出端、IGBT器件IGBT2的电流传感器输出端连接，且MOS管LM的栅极与电阻R的一端连接后能形成IGBT组件的电流测量端I_SENSE；/nIGBT器件IGBT1的集电极C1与IGBT器件IGBT2的集电极C2相互连接后能形成IGBT组件的集电极端Collector；IGBT器件IGBT1的发射极E1与IGBT器件IGBT2的发射极E2相互连接后能形成IGBT组件的发射极端Emitter。/n