[发明专利]基于深层离子注入方式的倒置四结太阳电池抗位移辐照加固方法

摘要

基于深层离子注入方式的倒置四结太阳电池抗位移辐照加固方法，属于微电子技术领域，本发明为解决现有倒置四结太阳电池在空间带电粒子的辐照下抗位移辐照能力差，易产生位移辐射损伤，从而严重地影响太阳电池的性能参数的问题。本发明向倒置四结太阳电池的第四结有源区和第三结有源区模拟注入离子，获得离子能量和射程信息，模拟I‑V特性，记录与未注入离子时的I‑V特性变化量小于10％时的注入离子量，计算注入离子电压和离子束电流，设置注入离子时间，采用设置后的注入离子机进行离子注入，对完成离子注入的倒置四结太阳电池进行退火处理。本发明用于对倒置四结太阳电池进行抗位移辐照加固。

主权项

1.基于深层离子注入方式的倒置四结太阳电池抗位移辐照加固方法，其特征在于，该加固方法的具体过程为：/nS1、根据倒置四结太阳电池的结构参数，向倒置四结太阳电池的第四结有源区和第三结有源区模拟注入离子，分别获得第四结有源区和第三结有源区注入离子的离子能量和射程信息；/nS2、分别模拟第四结有源区未注入离子和模拟注入离子后的I-V特性，改变注入离子量，使模拟注入离子后的I-V特性与未注入离子的I-V特性的变化量小于10％，记录第四结有源区的注入离子量；/nS3、根据S1获取的第四结有源区注入离子的离子能量和射程信息，以及S2获取的第四结有源区注入离子量，计算注入离子机的第四结有源区注入离子电压和离子束电流；/nS4、分别模拟第三结有源区未注入离子和模拟注入离子后的I-V特性，改变注入离子量，使模拟注入离子后的I-V特性与未注入离子的I-V特性的变化量小于10％，记录第三结有源区的注入离子量；/nS5、根据S1获取的第三结有源区注入离子的离子能量和射程信息，以及S4获取的第三结有源区注入离子量，计算注入离子机的第三结有源区注入离子电压和离子束电流；/nS6、分别设置第四结有源区和第三结有源区的注入离子时间；/nS7、根据注入离子机的注入离子电压、离子束电流和注入离子时间对注入离子机进行设置；/nS8、采用注入离子机对倒置四结太阳电池的第四结有源区和第三结有源区分别进行离子注入；/nS9、对完成离子注入的倒置四结太阳电池进行退火处理。/n