[发明专利]半导体工艺、半导体器件的制作方法以及半导体器件在审
| 申请号： | 201910775850.1 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN110676152A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 程纪伟;夏志良;周文犀;蒲月强;孙中旺;苏睿 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 11240 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 董文倩 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种半导体工艺、半导体器件的制作方法以及半导体器件。该半导体工艺包括：形成具有凹槽的半导体基底；在凹槽中设置预定材料，直到预定材料的厚度大于或者等于预定厚度，其中，预定材料为流体材料；控制半导体基底旋转，半导体基底旋转的旋转轴平行于半导体基底的厚度方向；固化预定材料，形成填充结构。该半导体工艺解决了现有技术中难以无缝填充深宽比较大的凹槽的问题，保证了形成的填充结构的性能较好，进而保证了包括由该半导体工艺形成的半导体器件的性能较好。并且，该工艺容易控制，成本较低，可以广泛地应用在各种半导体器件的制作过程中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体工艺 半导体基底 半导体器件 预定材料 填充 流体材料 无缝填充 制作过程 旋转轴 固化 平行 保证 申请 制作 应用 | ||
【主权项】：
1.一种半导体工艺，其特征在于，包括：/n形成具有凹槽的半导体基底；/n在所述凹槽中设置预定材料，直到所述预定材料的厚度大于或者等于预定厚度，其中，所述预定材料为流体材料；/n控制所述半导体基底旋转，所述半导体基底旋转的旋转轴平行于所述半导体基底的厚度方向；/n固化所述预定材料，形成填充结构。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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