[发明专利]一种完全取代高炉冷却壁镶砖的SiC结合Si3

摘要

本发明公开了一种完全取代高炉冷却壁镶砖的SiC结合Si3N4浇注料及其制备方法。其技术方案是：以63‑68wt％的碳化硅颗粒为骨料，以13‑17wt％的碳化硅微粉和18‑22wt％的氮化硅微粉为基质料。按上述骨料与基质料的质量比例进行机械混匀。然后外加占所述骨料与基质料质量之和8‑10wt％的硅溶胶作为结合剂，搅拌均匀，制得可完全取代高炉冷却壁镶砖的SiC结合Si3N4浇注料。制备的浇注料浇注或喷涂于高炉炉腹与炉腰部位，厚度约100‑120mm，烘干后即可。本发明制备的浇注料耐磨性能好，热导率高，挂渣容易，长效保护铜冷却壁，相比于传统工艺的镶嵌碳砖材料，本浇注料的操作简便，成本低、耐磨绝热性能优良，可作为高炉冷却壁长效保护内衬，实现高炉长寿的目标。

主权项

1.一种完全取代高炉冷却壁镶砖的SiC结合Si₃N₄浇注料，其特征在于：包括以63‑68wt％的碳化硅颗粒为骨料，以13‑17wt％的碳化硅微粉和18‑22wt％的氮化硅微粉为基质料；以所述骨料与基质料质量之和8‑10wt％的硅溶胶作为结合剂。