[发明专利]湿法激光单晶硅嵌入式倒金字塔绒面制备在审
| 申请号： | 201910776306.9 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN110629290A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 吕爱武;鲁贵林;赵科巍;张波;杨飞飞;张尧;杜泽霖;李陈阳;郭丽;吕涛;董建明;邓铭 | 申请（专利权）人： | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/06;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 14101 太原市科瑞达专利代理有限公司 | 代理人： | 李富元 |
| 地址： | 046000 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及光伏单晶硅表面织构化领域。湿法激光单晶硅嵌入式倒金字塔绒面制备，按照单晶制绒‑富氧化层热扩散‑正面激光筛点‑背面去PSG/BSG‑背面碱抛光以及正面倒金字塔嵌入‑扩散制结—正背面去PSG/BSG‑热氧化‑正背面钝化减反射膜‑丝网印刷进行，在单晶制绒过程中，采用KOH、制绒辅助剂RN‑008、纯水的混合溶液对尺寸为156.75mm的单晶P型硅片进行第一次表面金字塔绒面结构的制备，工艺制程中刻蚀量控制在0.5g±0.1g，制绒反射率约为8‑10%，表面金字塔尺寸在1.5‑3μm，其中，KOH的质量百反比浓度为2.2%，制绒辅助剂RN‑008体积浓度为1.4%。 | ||
| 搜索关键词： | 制绒 单晶制绒 倒金字塔 辅助剂 正背面 制备 背面 激光 金字塔绒面结构 单晶硅 单晶硅表面 混合溶液 减反射膜 扩散制结 丝网印刷 抛光 次表面 反射率 富氧化 量控制 嵌入式 热扩散 热氧化 织构化 单晶 钝化 光伏 刻蚀 绒面 湿法 制程 金字塔 嵌入 | ||
【主权项】：
1.湿法激光单晶硅嵌入式倒金字塔绒面制备，其特征在于：按照单晶制绒-富氧化层热扩散-正面激光筛点-背面去PSG/BSG-背面碱抛光以及正面倒金字塔嵌入-扩散制结—正背面去PSG/BSG-热氧化-正背面钝化减反射膜-丝网印刷进行，在单晶制绒过程中，采用KOH、制绒辅助剂RN-008、纯水的混合溶液对尺寸为156.75mm的单晶P型硅片进行第一次表面金字塔绒面结构的制备，工艺制程中刻蚀量控制在0.5g±0.1g，制绒反射率约为8-10%，表面金字塔尺寸在1.5-3μm，其中，KOH的质量百反比浓度为2.2%，制绒辅助剂RN-008体积浓度为1.4%。/n
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