[发明专利]一种清水研磨抛光工艺有效
| 申请号： | 201910776979.4 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN110465836B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 和晓宇;和洪喜;和俊卿;赵宝春 | 申请（专利权）人： | 海南亿鑫和科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B41/04;B24D3/00 |
| 代理公司： | 上海微策知识产权代理事务所(普通合伙) 31333 | 代理人： | 王小穗 |
| 地址： | 571199 海南省海口市*** | 国省代码： | 海南;46 |
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| 摘要： | 本发明涉及研磨抛光技术领域，更具体地涉及到一种清水研磨抛光工艺。所述清水研磨抛光工艺包括以下步骤：第一阶段为使用粗磨抛光研磨盘进行20～30min粗磨，所述粗磨抛光研磨盘包括粗磨研磨剂；第二阶段为使用精磨抛光研磨盘进行15～25min精磨，所述精磨抛光研磨盘包括精磨研磨剂；第三阶段为使用精抛抛光研磨盘进行5～15min抛光，所述精抛抛光研磨盘包括精抛研磨剂。本发明提供一种清水研磨抛光工艺，可在只使用清水的情况下进行研磨抛光，避免使用含有研磨剂的粉剂或浆料进行研磨造成的环境污染和对人体健康的危害；可应用于玻璃、硅晶体和金属陶瓷等材料中，且可实现粗磨、精磨和精抛一系列的操作，提高材料的平整和光亮效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 清水 研磨 抛光 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种清水研磨抛光工艺，其特征在于，所述清水研磨抛光工艺包括以下步骤：/n第一阶段为使用粗磨抛光研磨盘进行20～30min粗磨，所述粗磨抛光研磨盘包括粗磨研磨剂；/n第二阶段为使用精磨抛光研磨盘进行15～25min精磨，所述精磨抛光研磨盘包括精磨研磨剂；/n第三阶段为使用精抛抛光研磨盘进行5～15min抛光，所述精抛抛光研磨盘包括精抛研磨剂。/n
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