[发明专利]晶圆表面电荷消除装置及方法有效
| 申请号： | 201910777052.2 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN110505742B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 孟春霞;陈翰;张辰明;孟鸿林;魏芳 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆表面电荷消除装置，其外壳形成一密闭腔体；隔板固定在外壳中部，其展开时使外壳形成的密闭腔体隔离为密闭上腔室及密闭下腔室；下腔室处的外壳侧壁设置有能打开及关闭的晶圆放置门；上极板设置在上腔室内并平行于隔板；外壳为绝缘材质；上极板及隔板均为导电材质；上极板连接有上电极；隔板连接有下电极；下腔室内放置有电荷量测装置及能升降及旋转的工作台；上腔室的侧壁设置通气接口。本发明还公开了该晶圆表面电荷消除装置的晶圆表面电荷消除方法。本发明能消除晶圆表面电荷对制造和量测等流程产生干扰，减少工艺缺陷，提高量测图形精度。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 电荷 消除 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆表面电荷消除装置，其特征在于，其包括一外壳(1)、一隔板(3)及一上极板(2)；/n所述外壳(1)形成一密闭腔体；/n所述隔板(3)固定在所述外壳(1)中部，其收缩时所述外壳(1)形成的密闭腔体连通为一体，其展开时使所述外壳(1)形成的密闭腔体隔离为密闭上腔室及密闭下腔室；/n隔板(3)同外壳(1)的侧壁及底板之间形成密闭下腔室，隔板(3)同外壳(1)的侧壁及顶板之间形成密闭上腔室；/n下腔室处的外壳(1)侧壁设置有能打开及关闭的晶圆放置门；/n所述上极板(2)设置在所述上腔室内并平行于所述隔板(3)；/n所述外壳(1)为绝缘材质；/n所述上极板(2)及隔板(3)均为导电材质；/n所述上极板(2)连接有上电极(21)；/n所述隔板(3)连接有下电极(31)；/n所述下腔室内放置有电荷量测装置(6)及能升降及旋转的工作台(5)；/n所述上腔室的侧壁设置有用于对上腔室充气及抽气的通气接口。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
