[发明专利]反向曝光辅助图形添加方法及其添加系统有效
| 申请号： | 201910777189.8 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN110471252B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 邹先梅;于世瑞 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于半导体芯片线形测试版图的反向曝光辅助图形添加方法，包括：筛选出反向曝光辅助图形添加区域；根据测试版图边缘线之间距离，将反向曝光辅助图形添加区域划分为不同的反向曝光辅助图形添加类型；根据已经建立的工艺窗口OPC模型确定添加反向曝光辅助图形的参数范围；获取基于OPC模型添加反向曝光辅助图形后得到的工艺波动带宽值作为工艺窗口尺寸评判标准；对不同的反向曝光辅助图形添加类型分别添加不同尺寸的反向曝光辅助图形，使基于设计规则添加的反向曝光辅助图形获得的版图符合工艺窗口尺寸评判标准。本发明能提高各种线宽环境下主图形的工艺窗口，能避免添加相同参数SRAF造成对不同线宽环境下的主图形无法产生最优辅助图形的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 反向 曝光 辅助 图形 添加 方法 及其 系统 | ||
【主权项】：
1.一种反向曝光辅助图形添加方法，用于半导体芯片线形测试版图，其特征在于，包括以下步骤：/nS1，通过逻辑操作在测试版图边缘筛选出反向曝光辅助图形添加区域；/nS2，根据测试版图边缘线之间距离，将反向曝光辅助图形添加区域划分为不同的反向曝光辅助图形添加类型；/nS3，根据已经建立的工艺窗口OPC模型确定添加反向曝光辅助图形的参数范围；/nS4，获取基于工艺窗口OPC模型添加反向曝光辅助图形后得到的工艺波动带宽值作为工艺窗口尺寸评判标准；/nS5，对不同的反向曝光辅助图形添加类型分别添加不同尺寸的反向曝光辅助图形，使基于设计规则添加的反向曝光辅助图形获得的版图符合工艺窗口尺寸评判标准，完成反向曝光辅助图形添加。/n
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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