[发明专利]栅极环绕场效应晶体管有效
| 申请号： | 201910777191.5 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN110491946B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 白文琦;李昆鸿;王世铭;黄志森;胡展源 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种栅极环绕场效应晶体管，包括：栅极结构，该栅极结构从内向外依次包括纳米片状或者纳米线状的沟道、环绕在沟道外的栅氧化层，环绕在栅氧化层外的负电容层以及环绕在负电容层外的顶层金属层；源极结构，源极结构沿沟道的方向位于栅极结构的第一侧，且与栅极结构的沟道接触；漏极结构，漏极结构沿沟道的方向位于栅极结构的第二侧，且与栅极结构的沟道接触，源极结构和漏极结构通过沟道实现导通。本申请通过将器件的栅极设置为栅极环绕结构，使器件的栅极对沟道具有强控制力，通过在栅极环绕结构中设置负电容层，该负电容层的电压放大作用可降低器件的操作电压，进而在一定程度上降低了器件的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 环绕 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种栅极环绕场效应晶体管，其特征在于，包括：/n栅极结构，所述栅极结构从内向外依次包括纳米片状或者纳米线状的沟道、环绕在所述沟道外的栅氧化层，环绕在所述栅氧化层外的负电容层以及环绕在所述负电容层外的顶层金属层；/n源极结构，所述源极结构沿所述沟道的方向位于所述栅极结构的第一侧，且与所述栅极结构的所述沟道接触；/n漏极结构，所述漏极结构沿所述沟道的方向位于所述栅极结构的第二侧，且与所述栅极结构的所述沟道接触，所述源极结构和所述漏极结构通过所述沟道实现导通。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910777191.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
