[发明专利]具有自对准源区的功率半导体器件在审
| 申请号： | 201910777685.3 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN110858546A | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | H-J.蒂斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/331;H01L29/78;H01L29/739;H01L21/283;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘茜璐;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 功率半导体器件具有半导体本体，半导体本体耦合到第一负载端子和第二负载端子并配置成在端子间传导负载电流，功率半导体器件还包括沿竖直方向延伸到半导体本体中的第一沟槽和第二沟槽，两个沟槽包括相应沟槽侧壁，彼此面对的沟槽侧壁沿第一横向方向横向限定台面区；相应沟槽电极；针对竖直方向从半导体本体的表面突出至少50nm的突出距离的相应沟槽部分，沟槽电极延伸到突出沟槽部分中；第一导电类型的源区和第二导电类型的本体区，两个区布置在与第一沟槽的沟槽侧壁相邻的台面区中，第一沟槽配置用于在本体区中引起反型沟道以控制台面区中的负载电流，源区与两个沟槽侧壁中的仅一个相邻布置并沿第一横向方向从两个沟槽侧壁中的另一个在空间上移位。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对准 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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