[发明专利]一种CoSn双金属氧化物半导体材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201910777866.6 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN110455874A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 张晓;徐瑶华;刘皓;赵文瑞;魏峰 | 申请（专利权）人： | 有研工程技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;G01N27/04 |
| 代理公司： | 11246 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄家俊<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 101407北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于气体传感器技术领域的一种CoSn双金属氧化物半导体材料及其制备方法。所述材料由不同摩尔比例的Co和Sn纳米颗粒组成，Co和Sn的摩尔比为0.1‑10，纳米颗粒粒径为20‑50nm。本发明的材料可作为气敏检测材料，对环境中甲烷、乙醇、氨气等气体进行检测，其制备简便，收率高，具有检测温度低、基线平稳、灵敏度高等诸多性能优势。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 半导体材料 氨气 纳米颗粒粒径 双金属氧化物 气体传感器 检测材料 纳米颗粒 性能优势 灵敏度 摩尔比 检测 甲烷 基线 乙醇 收率 | ||
【主权项】：
1.一种CoSn双金属氧化物半导体材料，其特征在于，所述材料由不同摩尔比例的Co和Sn纳米颗粒组成，Co和Sn的摩尔比为0.1-10，纳米颗粒粒径为20-50nm。/n
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