[发明专利]垂直磁化的磁穿隧接面单元的制作方法在审
| 申请号： | 201910778309.6 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN110858618A | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 杰诺真;裘地玛丽艾维塔;童儒颖;刘焕龙;李元仁;朱健 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 任芸芸;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
本公开提供一种垂直磁化的磁穿隧接面单元的制作方法，其中沉积上方层之前，对含硼自由层进行含钝气的等离子体处理，并进行自然氧化工艺以形成氧化硼。沉积金属层如镁于自由层上，以作为形成高介电常数增进层(其可增加自由层的垂直磁向异性)的第一步骤，或作为形成穿隧阻挡层于自由层上的第一步骤。进行一或多道退火步骤，以辅助由自由层分离氧化硼，进而增加自由层的磁矩。在沉积金属层之前，亦可采用氧化后等离子体处理以部分地移除与自由层上表面相邻的氧化硼。两种等离子体处理均采用低功率(小于50瓦)，最多移除厚 |
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| 搜索关键词： | 垂直 磁化 磁穿隧接面 单元 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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