[发明专利]一种钝化接触太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201910779112.4 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN110473926A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 李宏伟;翁高登;马玉超;何胜;周盛永;徐伟智 | 申请（专利权）人： | 浙江正泰太阳能科技有限公司;海宁正泰新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/028 | 分类号： | H01L31/028;H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 田媛媛<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 310051 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了钝化接触太阳能电池，包括硅衬底；位于硅衬底的第一表面的隧穿层；位于隧穿层背离硅衬底的表面的本征多晶硅层；位于本征多晶硅层背离隧穿层的表面的掺杂多晶硅层；位于掺杂多晶硅层背离本征多晶硅层的表面的第一钝化层；位于第一钝化层背离掺杂多晶硅层的表面的第一电极；位于硅衬底的第二表面的扩散层；位于扩散层背离硅衬底的表面的第二钝化层；位于第二钝化层背离扩散层的表面的减反层；位于减反层背离第二钝化层的表面的第二电极。在隧穿层和掺杂多晶硅层之间设有本征多晶硅层，可以提高掺杂多晶硅层沉积速率，还可以减少杂质离子向硅衬底扩散，减少硅衬底复合，从而提高光电转换效率。本申请还提供一种具有上述优点的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 硅衬底 掺杂多晶硅层 背离 钝化层 本征多晶硅层 隧穿层 扩散层 减反层 光电转换效率 太阳能电池 第二表面 第二电极 第一表面 第一电极 杂质离子 沉积 钝化 制备 申请 复合 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种钝化接触太阳能电池，其特征在于，包括：/n硅衬底；/n位于所述硅衬底的第一表面的隧穿层；/n位于所述隧穿层背离所述硅衬底的表面的本征多晶硅层；/n位于所述本征多晶硅层背离所述隧穿层的表面的掺杂多晶硅层；/n位于所述掺杂多晶硅层背离所述本征多晶硅层的表面的第一钝化层；/n位于所述第一钝化层背离所述掺杂多晶硅层的表面的第一电极；/n位于所述硅衬底的第二表面的扩散层；/n位于所述扩散层背离所述硅衬底的表面的第二钝化层；/n位于所述第二钝化层背离所述扩散层的表面的减反层；/n位于所述减反层背离所述第二钝化层的表面的第二电极；/n其中，所述第一表面与所述第二表面相对。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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