[发明专利]一种光学装置有效

专利信息
申请号: 201910779651.8 申请日: 2019-08-22
公开(公告)号: CN110660892B 公开(公告)日: 2021-05-04
发明(设计)人: 刘荣辉;刘元红;陈晓霞;薛原;马小乐 申请(专利权)人: 有研稀土新材料股份有限公司
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50
代理公司: 北京中创云知识产权代理事务所(普通合伙) 11837 代理人: 肖佳
地址: 100088*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种光学装置,该光学装置包含LED芯片、可见光发光材料、近红外发光材料,其中近红外和可见光发光材料在LED芯片激发下发射的650‑1000nm波段光功率为A,近红外和可见光发光材料在LED芯片激发下发射的350‑650nm波段光功率,以及LED芯片激发近红外和可见光发光材料后LED芯片在350‑650nm波段的残留发射光功率,两者之和为B,其中B/A*100%为0.1%‑10%。该光学装置利用LED芯片同时复合近红外发光材料和可见光发光材料的实现方式,用同种LED芯片同时实现近红外及可见光发光,且得到强的近红外发光和弱的可见光发光,该装置极大简化了封装工艺,降低了封装成本,具有发光效率高/可靠性能优异/无红爆,且可实现光功率尤其是白光光功率的可控调节,最终达到柔和的视觉效果。
搜索关键词: 一种 光学 装置
【主权项】:
1.一种光学装置,其特征在于,该光学装置包含LED芯片、可见光发光材料、近红外发光材料;/n其中近红外和可见光发光材料在LED芯片激发下,发射的650-1000nm波段光功率为A;/n近红外和可见光发光材料在LED芯片激发下发射的350-650nm波段光功率,以及LED芯片激发近红外和可见光发光材料后LED芯片在350-650nm波段的残留发射光功率,两者之和为B;/n其中B/A*100%为0.1%-10%。/n
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