[发明专利]三维存储结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201910779943.1 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN110676259B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 韩玉辉 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁文惠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种三维存储结构及其制作方法。该三维存储结构的堆叠结构包括核心阵列区域和位于其至少一侧的台阶区域，且上述三维存储结构还包括孔结构，孔结构具有多个沟道孔，上述三维存储结构中通过将堆叠结构进行区域划分，通过分别调整各区域中孔结构的密度，能够使得核心阵列区域过渡到台阶区域中孔结构的分布更加平缓，从而在形成三维存储结构中栅极隔槽的工艺中，有效地降低甚至避免了刻蚀栅极隔槽过程中在其底部产生倾斜点的可能性，进而提高了三维存储结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储结构，其特征在于，包括：/n衬底和堆叠结构，所述堆叠结构位于所述衬底上；/n所述堆叠结构包括核心阵列区域和位于所述核心阵列区域至少一侧的台阶区域，所述三维存储结构还包括位于所述堆叠结构中并贯穿至所述衬底的孔结构，所述孔结构包括多个沟道孔，各所述沟道孔中设置有存储结构；/n将所述堆叠结构划分为沿第一方向顺序排列的第一区域、第二区域和第三区域；/n所述第一方向为由所述核心阵列区域指向所述台阶区域的方向；/n所述第二区域包括部分所述核心阵列区域和部分所述台阶区域；/n所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域中均分布有所述孔结构，定义位于所述第一区域中所述孔结构的密度为R
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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