[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体装置有效
| 申请号： | 201910782041.3 | 申请日： | 2019-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN111211171B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 苏柏拉曼亚·加亚谢拉拉欧;陈柏安;韦维克;陈旷举;杨炯仕 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 周晓飞;谷敬丽 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种横向扩散金属氧化物半导体装置，包括基板、第一栅极结构、及主动区，其中主动区包含漏极区、源极区、主体区、及第二栅极结构。第一栅极结构形成在基板上并超出主动区，并沿第一方向延伸。漏极区设置在第一栅极结构的第一侧的基板中。源极区及主体区设置在第一栅极结构的第二侧的基板中，第一侧与第二侧相对。第二栅极结构设置在源极区及主体区间。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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