[发明专利]可变电阻存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910782346.4 | 申请日： | 2019-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN110858623A | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 金秉柱;高永珉;金钟旭;朴洸珉;朴正熙;崔铜成 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种可变电阻存储器件可以包括：沿第一方向延伸的多条第一导线；沿第二方向延伸的多条第二导线；多个存储单元，相对于自上而下的视图，每个存储单元在第一导线中的相应一条与第二导线中的相应一条之间的各交叉点处，每个存储单元包括夹在顶部电极和底部电极之间的可变电阻结构和开关元件；和第一电介质层，填充存储单元的开关元件之间的空间。第一电介质层的顶表面设置在存储单元的顶部电极的底表面和顶表面之间。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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