[发明专利]一种双向可控硅静电保护器件

摘要

本发明公开了一种双向可控硅静电保护器件，包括衬底；衬底中设有N型埋层；N型埋层上方设有第一N型深阱、第一P阱、N阱、第二P阱和第二N型深阱；第一P阱内设有第二P+注入区、第三P+注入区和第一N+注入区；第二P阱内设有第二N+注入区、第四P+注入区和第五P+注入区；所述第二P+注入区、N阱和第一P阱构成第一PNP管，第三P+注入区、N阱、第一P阱构成第二PNP管，第二N+注入区、第四P+注入区与N阱构成第一NPN管，第二N+注入区、第五P+注入区、N阱构成第二NPN管。本发明增加额外一对PNP管和NPN管，从而增加电流泄放路径，让电流分布更加均匀。

主权项

1.一种双向可控硅静电保护器件，其特征在于：包括P型衬底；/n所述衬底中从左至右依次设有N型埋层、第一P+注入区和第六P+注入区；/n所述N型埋层上方从左至右依次设有第一N型深阱、第一P阱、N阱、第二P阱和第二N型深阱；/n所述第一P阱内从左至右依次设有第二P+注入区、第三P+注入区和第一N+注入区；/n所述第二P阱内从左至右依次设有第二N+注入区、第四P+注入区和第五P+注入区；/n所述第二P+注入区、第三P+注入区、第一N+注入区连接在一起并引出作为器件阳极；所述第一P+注入区、第二N+注入区、第四P+注入区、第五P+注入区、第六P+注入区连接在一起并引出作为器件阴极；/n所述第二P+注入区、N阱和第一P阱构成第一PNP管，第一PNP管与由第三P+注入区、N阱、第一P阱构成的第二PNP管并联，所述第二N+注入区、第四P+注入区与N阱构成第一NPN管，第一NPN管与由第二N+注入区、第五P+注入区、N阱构成的第二NPN管并联。/n