[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910784979.9 | 申请日： | 2019-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN112420831A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底，所述衬底上具有鳍部结构，所述鳍部结构包括沟道区、源区和漏区，所述沟道区位于所述源区和漏区之间，所述沟道区包括第一纳米线和位于第一纳米线上的第二纳米线，所述第一纳米线内具有第一阈值电压调节离子，所述第二纳米线内具有第二阈值电压调节离子，所述第一纳米线和衬底以及源区和漏区之间具有第一开口，所述第二纳米线和第一纳米线以及源区和漏区之间具有第二开口；位于所述第一开口内且横跨所述第一纳米线的第一栅极结构，所述第一栅极结构环绕所述第一纳米线；位于所述第二开口内且横跨所述第二纳米线的第二栅极结构，所述第二栅极结构环绕所述第二纳米线。所述半导体结构的性能得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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