[发明专利]一种柔性氧化铟锌薄膜晶体管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910785502.2 申请日: 2019-08-23
公开(公告)号: CN110571277A 公开(公告)日: 2019-12-13
发明(设计)人: 秦国轩;刘家立 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/49
代理公司: 12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所 代理人: 琪琛
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种柔性金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法,PET衬底上镀有铝薄膜和通过阳极氧化形成的氧化铝薄膜分别作为栅极和栅极绝缘层,上面沉积有氧化铟锌薄膜,通过lift‑off的方法制备氧化铟锡(ITO)源漏电极,最后沉积二氧化硅作为器件钝化层。柔性金属氧化物薄膜晶体管适用于柔性集成电路,所述晶体管具有良好的性能以及较高的工作频率。并且该器件具有结构轻薄、可弯曲折叠,抗机械冲击能力强等优点,在柔性显示设备、智能穿戴以及光电器件领域具有广泛的应用前景。
搜索关键词: 氧化物薄膜晶体管 柔性金属 沉积 制备 光电器件领域 柔性集成电路 柔性显示设备 抗机械冲击 可弯曲折叠 氧化铝薄膜 栅极绝缘层 二氧化硅 工作频率 器件钝化 阳极氧化 氧化铟锡 氧化铟锌 源漏电极 铝薄膜 能力强 轻薄 晶体管 衬底 穿戴 薄膜 智能 应用
【主权项】:
1.一种柔性氧化铟锌薄膜晶体管,其特征在于,结构从下到上依次为:柔性衬底、作为栅极的铝薄膜、作为栅绝缘层的通过阳极氧化法形成的氧化铝膜、氧化铟锌薄膜和铟锡氧化物漏源电极,最上面覆盖有一层二氧化硅作为器件钝化层。/n
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