[发明专利]单面内氧化银氧化锡氧化铟电接触材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910786069.4 申请日: 2019-08-23
公开(公告)号: CN110391095B 公开(公告)日: 2020-08-14
发明(设计)人: 穆成法;杨辉 申请(专利权)人: 浙江大学;温州宏丰电工合金股份有限公司
主分类号: H01H1/0237 分类号: H01H1/0237;H01H11/04;C22C5/06;C22F1/14;C22F1/02;C21D9/54
代理公司: 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 代理人: 徐红银
地址: 325026 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开一种单面内氧化银氧化锡氧化铟电接触材料,包括银氧化锡氧化铟材料本体,所述银氧化锡氧化铟材料本体的一面为自带焊料的焊接面,所述焊接面由AgSn层或AgZn层组成,所述银氧化锡氧化铟材料本体的另一面为氧化面,所述氧化面为AgSnO2In2O3层。本发明还提供一种上述材料的制备方法,得到的单面内氧化银氧化锡氧化铟电接触材料,后续焊接加工方便可靠,且所获得银氧化锡氧化铟为单面氧化,不存在中间的“贫氧化物”区域,组织分布均匀。
搜索关键词: 单面 氧化银 氧化 接触 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种单面内氧化银氧化锡氧化铟电接触材料,其特征在于:包括银氧化锡氧化铟材料本体,所述银氧化锡氧化铟材料本体的一面为自带焊料的焊接面,所述焊接面由AgSn层或AgZn层组成,所述银氧化锡氧化铟材料本体的另一面为氧化面,所述氧化面为AgSnO2In2O3层。
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