[发明专利]用于形成竖向延伸的存储器单元串的阵列的方法

摘要

一种用于形成竖向延伸的存储器单元串的阵列的方法包括形成包括竖直交替的绝缘层和字线层的下部堆叠。下部沟道开口在下部堆叠中。覆盖下部沟道开口中的个别者的桥接件经外延生长。下部空隙空间在个别下部沟道开口中在桥接件中的个别者之下。上部堆叠形成于下部堆叠上方。上部堆叠包括竖直交替的绝缘层和字线层。上部沟道开口形成于上部堆叠中形成到个别桥接件以单独地形成包括个别下部沟道开口和上部沟道开口中的个别者中的一个的互连沟道开口。互连沟道开口单独地具有跨越互连沟道开口的个别桥接件中的一个。穿透个别桥接件以露出下部空隙空间中的个别者。晶体管沟道材料竖向地沿着上部堆叠中的竖直交替的层形成于互连沟道开口的上部部分中。