[发明专利]半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201910788574.2 | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN111354778B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 席德·内亚兹·依曼;陈柏安 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 孙乳笋;周永君 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其形成方法，该形成方法包括提供半导体基板、于半导体基板中形成第一N型注入区与第二N型注入区。第一N型注入区与第二N型注入区被半导体基板的一部分隔开。上述方法亦包括于半导体基板中形成第一P型注入区、对半导体基板进行热处理工艺以于半导体基板中形成P型阱与N型阱。N型阱具有第一部分、第二部分以及第三部分，第三部分位于第一部分与第二部分之间，第三部分的掺杂浓度低于第一部分的掺杂浓度与第二部分的掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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