[发明专利]管式PECVD设备的压力控制装置有效
申请号: | 201910790348.8 | 申请日: | 2019-08-26 |
公开(公告)号: | CN110408913B | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 肖洁;吴德轶;朱辉;成秋云;张春成 | 申请(专利权)人: | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 周长清;戴玲 |
地址: | 410205 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了管式PECVD设备的压力控制装置,包括至少一组反应室,每组反应室对应设有VAT阀和主抽泵,各组反应室共用一个预抽泵,每组反应室包括第一反应室和第二反应室,每组反应室中的第一反应室通过第一主管路与主抽泵连通,第二反应室通过第二主管路与主抽泵连通,第一主管路与第二主管路并联形成汇流管路,汇流管路与主抽泵连接,VAT阀设于汇流管路上,各组反应室中的第一反应室均通过第一支管路与预抽泵连接,各组反应室中的第二反应室均通过第二支管路与预抽泵连接。本发明的核心在于两管共用主抽泵时,工艺过程是错开的,相当于时刻都只有一个主抽泵为一个反应室工作,其余时间另一管利用预抽泵工作,大大降低了设备的成本。 | ||
搜索关键词: | pecvd 设备 压力 控制 装置 | ||
【主权项】:
1.一种管式PECVD设备的压力控制装置,其特征在于:包括至少一组反应室,每组反应室对应设有VAT阀(1)和主抽泵(2),各组反应室共用一个预抽泵(3),每组反应室包括第一反应室(4)和第二反应室(5),每组反应室中的第一反应室(4)通过第一主管路(6)与主抽泵(2)连通,每组反应室中的第二反应室(5)通过第二主管路(7)与主抽泵(2)连通,且第一主管路(6)与第二主管路(7)并联形成汇流管路(8),所述汇流管路(8)与主抽泵(2)连接,所述VAT阀(1)设于汇流管路(8)上,各组反应室中的第一反应室(4)均通过第一支管路(9)与预抽泵(3)连接,各组反应室中的第二反应室(5)均通过第二支管路(10)与预抽泵(3)连接。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的