[发明专利]半导体存储装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910790471.X | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN112435992A | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 朱一明;平尔萱 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L25/18;H01L21/98 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种半导体存储装置及其制造方法，所述半导体存储装置包括：第一存储芯片，所述第一存储芯片内形成有第一存储阵列；第二存储芯片，所述第二存储芯片内形成有第二存储阵列；所述第一存储芯片和所述第二存储芯片之间堆叠形成电连接，所述第一存储芯片内形成有第一电路、至少部分第二电路以及共用电路，所述第一电路用于控制所述第一存储阵列，所述第二电路用于控制所述的第二存储阵列，所述第一电路与所述第一存储阵列连接，所述第二电路与所述第二存储阵列连接，所述共用电路连接所述第一电路和第二电路。所述半导体存储装置的集成度和数据传输效率提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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