[发明专利]一种基于双极型半导体的光控人工突触及其制备方法有效
| 申请号： | 201910791348.X | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN110690318B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 周晔;任意;韩素婷 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L31/11 | 分类号： | H01L31/11;H01L31/18;C09K9/02;H01L31/0256 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于双极型半导体的光控人工突触及其制备方法，所述基于双极型半导体的光控人工突触包括：半导体层；所述半导体层包括：光致变色化合物和双极型聚合物；其中，所述双极型聚合物的HOMO能级位于开环的光致变色化合物的HOMO能级和闭环的光致变色化合物的HOMO能级之间。通过施加不同波段的光实现了半导体沟道的重构，进而可以实现在相同电压极性下和相同光照波段下沟道导电性的增强或抑制，本发明采用光来重构人工突触，降低了电子突触的能耗，提高了稳定性和重复性，另外，电学端口的缩减有利于操作复杂程度的降低，较好的柔性性能也能实现器件的高机械性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 双极型 半导体 光控 人工 突触 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于双极型半导体的光控人工突触，包括：半导体层；其特征在于，所述半导体层包括：光致变色化合物和双极型聚合物；其中，所述双极型聚合物的HOMO能级位于开环的光致变色化合物的HOMO能级和闭环的光致变色化合物的HOMO能级之间。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
