[发明专利]一种二维层状碲掺杂锗烷及制备方法有效

专利信息
申请号: 201910792265.2 申请日: 2019-08-26
公开(公告)号: CN112429703B 公开(公告)日: 2023-03-10
发明(设计)人: 封伟;王宇;冯奕钰;赵付来;张鑫;梁雪静 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C01B6/06 分类号: C01B6/06
代理公司: 天津创智睿诚知识产权代理有限公司 12251 代理人: 李薇
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开一种二维层状碲掺杂锗烷及制备方法,将Ca、GeTe、Ge按化学计量比封装在在管式炉中进行程序控温得到CaGe2‑2xTe2x(x=0.01‑0.05)前驱体,将得到的前驱体与盐酸在低温下进行反应,即可得到二维层状的半导体材料碲掺杂锗烷HGe1‑xTex(x=0.01‑0.05)。这种二维材料在光电器件、储能、光催化等方面具有较大的潜在应用。
搜索关键词: 一种 二维 层状 掺杂 制备 方法
【主权项】:
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