[发明专利]一种ZnO/Sn3有效

专利信息
申请号: 201910792295.3 申请日: 2019-08-26
公开(公告)号: CN110487847B 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 李阳;王蕾;李念强;岳文静;高嵩 申请(专利权)人: 济南大学
主分类号: G01N27/00 分类号: G01N27/00;C01G19/02;C01G9/02;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 代理人: 郑平
地址: 250022 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及传感器气敏材料的制备领域,尤其涉及一种ZnO/Sn3O4气敏材料及其制备方法和在传感器中的应用。所述气敏材料由ZnO纳米颗粒和Sn3O4纳米花组成;其中,所述Sn3O4纳米花由分级的Sn3O4纳米片堆叠而成,所述ZnO纳米颗粒原位生长在Sn3O4纳米片上。本发明提出的通过水热方法制备的ZnO纳米颗粒修饰的分级花状Sn3O4敏感材料,利用ZnO纳米粒子对分级花状Sn3O4材料进行修饰,合成ZnO/Sn3O4复合材料,通过构建异质结构,可以产生独特的界面效应和异于其单组份的特殊性能,提高传感器的性能。复合材料的初始电阻远大于单一氧化物半导体的电阻,提高了传感器的响应。
搜索关键词: 一种 zno sn base sub
【主权项】:
1.一种ZnO/Sn3O4气敏材料,其特征在于,其由ZnO纳米颗粒和分级结构的Sn3O4纳米花组成;其中,所述分级结构的Sn3O4纳米花由Sn3O4纳米片堆叠而成,所述ZnO纳米颗粒原位生长在Sn3O4纳米片上;所述分级是指:由低维结构的纳米片经有序自组装而成的三维结构。/n
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