[发明专利]带有压电致动器的谐振双轴线MEMS反射器及包含其的投影MEMS系统有效
申请号: | 201910792851.7 | 申请日: | 2016-06-27 |
公开(公告)号: | CN110488486B | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | D·朱斯蒂;R·卡尔米纳蒂 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | G02B26/08 | 分类号: | G02B26/08;G03B21/20;G03B21/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及带有压电致动器的谐振双轴线MEMS反射器及包含其的投影MEMS系统,包含:固定结构(10);活动结构(12),其包括反射元件(90);第一可变形结构(22)和第二可变形结构(24),它们被布置在固定结构和活动结构之间。第一可变形结构和第二可变形结构中的每个包括相应数量的主压电元件(40)。第一可变形结构和第二可变形结构的主压电元件(40’,40”)能够被电控制以引起活动结构分别关于第一轴线(A1)和第二轴线(A2)的振荡。第一可变形结构还包括相应数量的次压电元件(42’),它们能够被电控制从而改变活动结构关于第一轴线的第一谐振频率。 | ||
搜索关键词: | 带有 压电 致动器 谐振 轴线 mems 反射 包含 投影 系统 | ||
【主权项】:
1.一种MEMS器件,包括:/n固定结构,至少一部分由半导体材料制成;/n活动结构,包括反射元件;/n第一可变形结构,被耦合在所述固定结构与所述活动结构之间;以及/n第二可变形结构,被耦合在所述固定结构与所述活动结构之间;/n其中所述第一可变形结构和所述第二可变形结构中的每个包括相应的底部电极区域;/n其中所述第一可变形结构和所述第二可变形结构中的每个具有相应的主体,所述相应的主体具有沿着相应的伸长方向上的伸长的形状;/n其中所述第一可变形结构和所述第二可变形结构中的每个包括多个主压电元件,所述多个主压电元件被机械地耦合到所述相应的主体并且被布置在所述相应的主体的所述伸长方向上;/n所述第一可变形结构的所述主压电元件在所述第一可变形结构的所述底部电极区域的顶部上延伸,并且能够被电控制以引起所述第一可变形结构的变形以及所述活动结构关于第一轴线的振荡;/n所述第二可变形结构的所述主压电元件在所述第二可变形结构的所述底部电极区域的顶部上延伸,并且被电控制以引起所述第二可变形结构的变形以及所述活动结构关于第二轴线的振荡;以及/n其中所述反射元件在长度和宽度上大于多个主压电元件中的每个主压电元件。/n
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