[发明专利]一种芯片三维多面之间的键合互连方法有效
| 申请号： | 201910793398.1 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN110690128B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 李波;夏俊生;臧子昂;李文才 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/48 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233030 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种芯片三维多面之间的键合互连方法，包括：a、在三维多面电路基板的侧边制作基片侧连PAD；基片侧连PAD作为相邻电路基板相互键合的媒介；通过基片侧连PAD，使相邻电路基板间的三维键合转化为二维键合，利用平面键合工艺即实现相邻电路基板间的键合；b、将引线柱的外圆面制作出平面，形成引线柱PAD，引线柱PAD与相对应的电路基板相平行，使引线柱与电路基板间的三维键合转化为二维键合，利用平面键合工艺即实现引线柱与相对应电路基板间的键合；本发明基于常规成熟的平面键合连线工艺，通过将三维键合转化为二维键合，实现不同维度面之间的键合互连，且不形成三维键合线弧或三维焊接线弧，提高键合质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 三维 多面 之间 互连 方法 | ||
【主权项】：
1.一种芯片三维多面之间的键合互连方法，其特征在于，包括：/na、通过成膜工艺，在三维多面电路基板的侧边制作基片侧连PAD；基片侧连PAD作为相邻电路基板相互键合的媒介；通过基片侧连PAD，使相邻电路基板间的三维键合转化为二维键合，利用平面键合工艺即实现相邻电路基板间的键合；/nb、将引线柱的外圆面制作出平面，形成引线柱PAD，引线柱PAD与相对应的电路基板相平行，使引线柱与电路基板间的三维键合转化为二维键合，利用平面键合工艺即实现引线柱与相对应电路基板间的键合。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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