[发明专利]一种抗干扰MEMS器件的制备方法

摘要

本发明公开一种抗干扰MEMS器件的制备方法，包括以下步骤：S1、在衬底层晶圆制备隔离槽；S2、在隔离槽内填充绝缘介质层与隔离介质层，形成垂直引线；S3、在感应电极结构层晶圆制备感应电极中心锚点及硅支撑柱；S4、将步骤S2与步骤S3得到的晶圆相键合；S5、在可动敏感结构层晶圆制备可动结构中心锚点；S6、将步骤S5与步骤S4得到的晶圆相键合，再光刻与刻蚀形成可动敏感结构以及感应电极；S7、制备盖帽；S8、将步骤S7与步骤S4得到的晶圆相键合；S9、制备接触孔；S10、在接触孔处制备用于引线键合的PAD点；本方法得到的MEMS器件能够降低外界干扰对器件性能的影响，且加工工艺简单。

主权项

1.一种抗干扰MEMS器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、取第一SOI硅片作为衬底层晶圆，利用光刻与刻蚀工艺在第一SOI硅片的衬底硅中心与两侧分别形成环形的隔离槽，隔离槽深至第一SOI硅片的埋氧层；/nS2、依次通过热氧化工艺与介质填充工艺，在衬底硅表面生长绝缘介质层与隔离介质层，并填充进隔离槽；再利用减薄、化学机械抛光工艺去除隔离槽外部的绝缘介质层与隔离介质层，在衬底硅中心与两侧分别形成第一垂直引线与第二垂直引线；/nS3、取第一双抛硅片作为感应电极结构层晶圆，通过光刻、刻蚀工艺，在第一双抛硅片表面制备感应电极框架、感应电极中心锚点以及感应电极中心锚点两侧的硅支撑柱；/nS4、将步骤S2与步骤S3得到的晶圆相键合，感应电极中心锚点与第一垂直引线相对应，硅支撑柱与第二垂直引线相对应；/nS5、取第二双抛硅片作为可动敏感结构层晶圆，通过光刻、刻蚀工艺，在第二双抛硅片表面制备可动结构框架与可动结构中心锚点；/nS6、将步骤S5与步骤S4得到的晶圆相键合，再从第二双抛硅片表面进行光刻与刻蚀，形成可动敏感结构以及由硅支撑柱支撑的感应电极；可动结构中心锚点与感应电极中心锚点相对应；/nS7、取单晶硅片作为盖帽晶圆，利用光刻、刻蚀工艺在单晶硅片表面制作盖帽外围框架与活动腔；/nS8、将步骤S7与步骤S4得到的晶圆相键合；/nS9、将步骤S8得到的晶圆进行减薄，去除第一SOI硅片的顶层硅；通过光刻、刻蚀工艺，在第一SOI硅片的埋氧层上制备一组接触孔，接触孔与第一垂直引线及第二垂直引线一一对应；/nS10、在接触孔处制备用于引线键合的PAD点。/n