[发明专利]电气元器件加工工艺在审
| 申请号： | 201910794087.7 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN110648946A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 张龙 | 申请（专利权）人： | 南通皋鑫科技开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B08B3/08;B08B3/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226500 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电气元器件加工工艺，所述电气元器件为桥堆，其加工工艺为，依次经过原材料检验、装填、焊接、清洗、模压、后固化、释放封装应力、电镀，最后经检测合格出货；所述清洗工序包括如下步骤：一级清洗：正溴丙烷浸泡10min；二级清洗：正溴丙烷超声清洗10min；三级清洗：正溴丙烷清洗10min，且中途上下提动3‑4次；四级清洗：酒精浸泡10min，滤干放置1min；干燥：在80‑100℃烘干20±2min；所述释放应力工序：将塑封后固化完成的桥堆，通过释放封装应力装置10s，进行一次高温热冲击。保证桥堆的可靠性和稳定性；以释放封装应力，从而去除桥堆在应用过程中因应力导致的失效，使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 桥堆 封装应力 正溴丙烷 释放 电气元器件 后固化 原材料检验 超声清洗 酒精浸泡 清洗工序 三级清洗 使用寿命 应力工序 应用过程 电镀 装填 次高温 热冲击 出货 烘干 滤干 塑封 去除 焊接 浸泡 检测 保证 | ||
【主权项】：
1.一种电气元器件加工工艺，所述电气元器件为桥堆，其加工工艺为：依次经过原材料检验、装填、焊接、模压、后固化、电镀，最后经检测合格出货；其特征在于，在焊接工序之后、模压工序之前增加清洗工序；在后固化工序之后、电镀工序之前增加释放封装应力工序；所述清洗工序包括如下步骤：/n一级清洗：正溴丙烷浸泡10min；/n二级清洗：正溴丙烷超声清洗10min；/n三级清洗：正溴丙烷清洗10min，且中途上下提动3-4次；/n四级清洗：酒精浸泡10min，滤干放置1min；/n干燥：在80-100℃烘干20±2min；/n所述释放应力工序：/n将塑封后固化完成的桥堆，通过释放封装应力装置10s，进行一次高温热冲击。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
