[发明专利]增大多晶硅栅极硬掩膜去除工艺窗口的方法

摘要

本申请公开了一种增大多晶硅栅极硬掩膜去除工艺窗口的方法，包括：提供一半导体衬底，通过预定工艺形成MOSFET器件结构；进行PMOS侧墙形成、P型注入和热退火工艺；沉积锗硅硬掩膜层；利用锗硅光罩通过光刻曝光，打开生长锗硅硬掩膜层的PMOS区域和多晶硅栅极顶部区域；蚀刻锗硅硬掩膜层，在PMOS源漏区域形成U型沟槽，同时刻蚀掉多晶硅栅极顶部的部分锗硅硬掩膜层；将U型沟槽蚀刻成Sigma型沟槽；沉积锗硅；去除多晶硅栅极顶部和侧壁的栅极硬掩膜层；重新生长NMOS侧墙，进行N型注入。通过打开多晶硅顶部，增大锗硅工艺中硬掩膜层去除工艺窗口，避免多晶硅栅极顶部硬掩膜层残留的缺陷。

主权项

1.一种增大多晶硅栅极硬掩膜去除工艺窗口的方法，其特征在于，所述方法包括：/n步骤1，提供一半导体衬底，通过浅沟槽隔离、阱离子注入、栅氧成长、多晶硅刻蚀形成MOSFET器件结构；/n步骤2，进行PMOS侧墙形成、P型注入和热退火工艺；/n步骤3，沉积一层预定厚度的锗硅硬掩膜层；/n步骤4，利用锗硅光罩通过光刻曝光，打开生长所述锗硅硬掩膜层的PMOS区域和多晶硅栅极顶部的预定尺寸区域；/n步骤5，蚀刻锗硅硬掩膜层，在PMOS源漏区域形成第一预定深度的U型沟槽，同时刻蚀掉所述多晶硅栅极顶部的部分锗硅硬掩膜层；/n步骤6，将所述U型沟槽蚀刻成第二预定深度的Sigma型沟槽；/n步骤7，进行锗硅的沉积；/n步骤8，去除所述多晶硅栅极顶部和侧壁的栅极硬掩膜层；/n步骤9，重新生长NMOS侧墙，进行N型注入。/n