[发明专利]电压可变型存储元件及半导体存储装置在审
| 申请号： | 201910795521.3 | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN111682107A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 末山敬雄;金田圭子;志村昌洋;川崎佳织 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式涉及一种电压可变型存储元件及半导体存储装置。实施方式的电压可变型存储元件是由电极、将信息以电荷形式累积的电荷累积层、以及半导体配线介存层间绝缘膜而积层形成，与电荷累积层对向的半导体配线的区域的电阻值根据从电极供给并累积在电荷累积层中的电位的高低而可变，使穿过半导体配线的读出信号的电压值根据电阻值变化。进而，实施方式构成半导体存储装置，所述半导体存储装置具备配置电压可变型存储元件作为存储单元的存储单元阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 变型 存储 元件 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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