[发明专利]铸造单晶用籽晶的回收方法在审
| 申请号： | 201910796901.9 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN110424049A | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 胡动力;居发亮;张华利;陈红荣 | 申请（专利权）人： | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/14 | 分类号： | C30B11/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郎伊琳 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种铸造单晶用籽晶的回收方法，包括如下步骤：将籽晶拼接铺设于坩埚底部，形成籽晶层；在所述籽晶层上方设置硅料，控制所述坩埚的温度，使所述籽晶不完全熔化，以及使熔融状态的硅料在所述籽晶层上沿着所述籽晶的晶向结构进行生长，得到铸造单晶硅锭；取出所述铸造单晶硅锭，并对所述铸造单晶硅锭底部沿垂直于生长方向进行切割，得到整版籽晶；对所述整版籽晶进行表面处理；将表面处理后的所述整版籽晶铺设于所述坩埚底部，形成所述籽晶层，这样大大减少了籽晶成本，进而降低了铸造单晶硅锭的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 籽晶 铸造 单晶硅锭 籽晶层 坩埚 单晶 硅料 铺设 熔化 熔融状态 生长方向 回收 晶向 拼接 生产成本 切割 垂直 取出 生长 | ||
【主权项】：
1.一种铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，包括如下步骤：将籽晶拼接铺设于坩埚底部，形成籽晶层；在所述籽晶层上方设置硅料，控制所述坩埚的温度，使所述籽晶不完全熔化，以及使熔融状态的硅料在所述籽晶层上沿着所述籽晶的晶向结构进行生长，得到铸造单晶硅锭；取出所述铸造单晶硅锭，并对所述铸造单晶硅锭底部沿垂直于生长方向进行切割，得到整版籽晶；对所述整版籽晶进行表面处理；将表面处理后的所述整版籽晶铺设于所述坩埚底部，形成用于生长所述铸造单晶硅锭的所述籽晶层。
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