[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

提供一种用于制造集成半导体器件的方法，该集成半导体器件包括形成在半导体衬底的凹进区域中的嵌入式闪存阵列，该方法包括：在形成存储器阵列的浮置和控制栅极堆叠件之前，在栅极材料层上方沉积保护层，并且在保护层上方沉积自流平牺牲层，以产生基本平坦的上表面。然后将牺牲层蚀刻到去除牺牲层并在保护层上留下基本平坦的面的深度。然后在保护层上沉积光掩模，并且从栅极材料层蚀刻栅极堆叠件。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。