[发明专利]一种二维层状硼掺杂锗烷及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910798616.0 申请日: 2019-08-27
公开(公告)号: CN112441560B 公开(公告)日: 2022-09-13
发明(设计)人: 封伟;梁雪静;冯奕钰;李瑀;赵付来;王宇;张鑫 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C01B6/06 分类号: C01B6/06;C01B6/15;C01B35/00;C01B35/02
代理公司: 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 代理人: 王秀奎
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开一种二维层状硼掺杂锗烷及其制备方法,将Ca、Ge、B按一定的化学计量比封装在在管式炉中进行程序控温得到CaGe2‑2xB2x(x=0.01‑0.05)前驱体,将得到的前驱体与盐酸在低温下进行反应,即可得到二维层状的半导体材料硼掺杂锗烷HGe1‑xBx(x=0.01‑0.05)。这种二维材料在光电器件、储能、光催化等方面具有较大的潜在应用。
搜索关键词: 一种 二维 层状 掺杂 及其 制备 方法
【主权项】:
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