[发明专利]沟槽MOSFET接触件有效
| 申请号： | 201910798927.7 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110890327B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | P·文卡特拉曼;D·E·普罗布斯特 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为“沟槽MOSFET接触件”。本发明公开了一种器件，该器件具有由第一类型的器件单元的阵列构成的有源区域以及由第二类型的器件单元的阵列构成的栅极接触区域或屏蔽接触区域，该第二类型的器件单元的阵列以比第一类型的器件单元的阵列更宽的节距布局。有源区域中的每个器件单元包括沟槽，该沟槽包含栅极电极和邻接的台面，该台面包括器件的漏极区、源极区、体区和沟道区。第二类型的器件单元包括沟槽，该沟槽宽于第一器件单元中的沟槽，但是第二类型的器件单元的台面具有与第一类型的器件单元的台面大致相同的宽度。在具有大致相同的宽度的情况下，接触区域中的第二类型的器件单元中的台面具有与器件的有源区域中的第一类型的器件单元中的台面相似的击穿特性。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mosfet 接触 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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