[发明专利]一种常规超导体材料磷化钨(WP)的高温高压制备有效
申请号: | 201910798991.5 | 申请日: | 2019-08-28 |
公开(公告)号: | CN110499529B | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 彭放;向晓君;梁浩 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
主分类号: | C30B1/12 | 分类号: | C30B1/12;C30B28/02;C30B29/10;B01J3/04;H01B12/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610065 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种常规超导体材料磷化钨(WP)晶体的高温高压合成方法。主要涉及一种具有催化性能且有超导性能的WP晶体,属于常规超导材料领域。将钨粉和红磷粉末按照摩尔配比1:1~1:4的比例混合经过充分研磨混合均匀,封装预压后,在3~10GPa,1300~2500℃,保温5~100分钟的条件下合成WP材料。本发明首次利用高温高压方法制备出了具有超导性能的WP烧结块体及大尺寸单晶,其具有结晶度高,致密度高,结构稳定,对环境友好,成本低,合成效率高的特点。因其制备工艺简单且具有很大的应用潜力,可作为HDSHDN催化材料,亦为MnP型结构的磷化物系列的第一个超导体,为磷化物系列其他材料的研究起了很好的铺垫作用。 | ||
搜索关键词: | 一种 常规 超导体 材料 磷化 wp 高温 高压 制备 | ||
【主权项】:
1.一种常规超导体材料磷化钨(WP)的制备,其特征在于:WP不仅具有良好的催化性能,还有具有超导性能。/n
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