[发明专利]IC封装上的防金属迁移在审
申请号: | 201910799304.1 | 申请日: | 2019-08-27 |
公开(公告)号: | CN112447618A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 白志刚;姚晋钟;庞兴收 | 申请(专利权)人: | 恩智浦美国有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/495;H01L21/56;B29C45/14;B29C45/26 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 纪雯 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种模套具有带对应的齿和凹槽的第一和第二模夹具,所述齿和凹槽被配置成使得在所述模套闭合到具有安装到引线框架上且线接合到所述引线框架的IC管芯的子组合件上时,在所述凹槽与所述引线框架的引脚之间存在间隙,所述间隙允许模制化合物沿着所述引脚的近端的相对侧延伸以增大邻近引脚之间的金属间距离,由此降低例如锡在HAST测试期间迁移从而在邻近引脚之间形成非所要导电路径的可能性。在一些实施例中,所述模夹具齿具有削边,所述削边在所述模套腔处逐渐变窄以形成楔形间隙,所述楔形间隙允许所述模制化合物沿着MaxQFP封装的引脚的近端挤出,所述MaxQFP封装具有两个层级的J形引脚和鸥翼式引脚。 | ||
搜索关键词: | ic 装上 金属 迁移 | ||
【主权项】:
暂无信息
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