[发明专利]使用自底向上方法的具有减少填充的沟道结构的全环绕栅极集成电路结构

摘要

本发明公开了使用自底向上方法的具有减少填充的沟道结构的全环绕栅极集成电路结构。描述了具有减少填充的沟道结构的栅极全环绕集成电路结构，以及使用自底向上方法制造具有减少填充的沟道结构的全环绕栅极集成电路结构的方法。例如，集成电路结构包括在衬底上方的纳米线的第一垂直布置和纳米线的第二垂直布置。纳米线的第一垂直布置具有比纳米线的第二垂直布置更大数量的纳米线。纳米线的第一垂直布置具有与纳米线的第二垂直布置的最上面的纳米线共面的最上面的纳米线。纳米线的第一垂直布置具有在纳米线的第二垂直布置的最底部的纳米线下方的最底部的纳米线。第一栅极堆叠在纳米线的第一垂直布置之上。第二栅极堆叠在纳米线的第二垂直布置之上。